23年蝕刻領(lǐng)域?qū)崙?zhàn)經(jīng)驗(yàn),擁有上萬(wàn)次成功案例,500強(qiáng)企業(yè)的信賴。


在半導(dǎo)體封裝中,**半導(dǎo)體晶圓植球電鑄加工**是實(shí)現(xiàn)高精度焊球植裝的核心工藝。例如BGA、Flip Chip等先進(jìn)封裝,依賴電鑄技術(shù)形成微米級(jí)金屬凸點(diǎn)或焊球,其優(yōu)勢(shì)如下:
1. **高精度與一致性**
- **半導(dǎo)體晶圓植球電鑄加工**通過(guò)電解沉積金屬(如銅、鎳或焊料合金),可在晶圓表面形成均勻的凸塊(UBM)或焊球基底,厚度精度達(dá)±1μm,滿足高密度互連需求。
- 傳統(tǒng)植球工藝(如錫膏印刷)難以實(shí)現(xiàn)微米級(jí)控制,而**半導(dǎo)體晶圓植球電鑄加工**可適配10μm以下的凸點(diǎn)間距。
2. **材料與可靠性優(yōu)勢(shì)**
- **半導(dǎo)體晶圓植球電鑄加工**能制備多層UBM結(jié)構(gòu)(如Ti/Cu/Ni),增強(qiáng)焊料粘附性并防止擴(kuò)散,提升封裝可靠性。
- 直接電鑄焊料合金(如SnAg)可避免回流焊的偏移問(wèn)題,尤其適合晶圓級(jí)封裝(WLP)。
3. **工藝兼容性**
- 電鑄低溫特性避免高溫對(duì)敏感元件的損傷,且與CMOS工藝無(wú)縫集成。
- 通過(guò)光刻掩膜選擇性沉積,**半導(dǎo)體晶圓植球電鑄加工**可精準(zhǔn)控制凸點(diǎn)位置,減少材料浪費(fèi)。
4. **對(duì)比其他技術(shù)**
- 激光植球成本高,錫膏印刷精度不足,而**半導(dǎo)體晶圓植球電鑄加工**在效率、成本與精度間取得平衡,成為3D封裝和TSV互連的首選。
**半導(dǎo)體晶圓植球電鑄加工**憑借其微米級(jí)精度、材料可控性和低溫工藝,成為先進(jìn)封裝不可或缺的技術(shù),持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體高密度互連的發(fā)展。